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GA1210Y822MBEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:44:59 查看 閱讀�9

GA1210Y822MBEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率、高頻開�(guān)場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種電源管理�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場��
  這款芯片通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和材料選�,有效提升了散熱性能,從而提高了整體系統(tǒng)的可靠性和效率�

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y822MBEAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(最大漏源電壓)�120V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�5mΩ
  ID(持�(xù)漏極電流):76A
  Qg(柵極電荷)�49nC
  fSW(建議開�(guān)頻率):500kHz
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210Y822MBEAT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),在高負(fù)載電流下可顯著降低功耗�
  2. 快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用的需求,減少開關(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受��
  4. 改�(jìn)的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功率應(yīng)用場景中保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�
  5. 寬工作溫度范�,適合工�(yè)級及汽車級應(yīng)用環(huán)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如筆記本電腦適配器和工業(yè)電源�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 新能源系�(tǒng)中的逆變器和�(zhuǎn)換器�
  4. 汽車電子�(shè)備,例如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和車載充電器�
  5. 大功� LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的工�(yè)�(shè)��

替代型號(hào)

GA1210Y822MBEAT31G-A, IRFZ44N, FDP5500

ga1210y822mbeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-