GA1210Y822MBEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率、高頻開�(guān)場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種電源管理�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場��
這款芯片通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和材料選�,有效提升了散熱性能,從而提高了整體系統(tǒng)的可靠性和效率�
型號(hào):GA1210Y822MBEAT31G
類型:N-Channel MOSFET
VDS(最大漏源電壓)�120V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�5mΩ
ID(持�(xù)漏極電流):76A
Qg(柵極電荷)�49nC
fSW(建議開�(guān)頻率):500kHz
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210Y822MBEAT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),在高負(fù)載電流下可顯著降低功耗�
2. 快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用的需求,減少開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受��
4. 改�(jìn)的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功率應(yīng)用場景中保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�
5. 寬工作溫度范�,適合工�(yè)級及汽車級應(yīng)用環(huán)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如筆記本電腦適配器和工業(yè)電源�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 新能源系�(tǒng)中的逆變器和�(zhuǎn)換器�
4. 汽車電子�(shè)備,例如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和車載充電器�
5. 大功� LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的工�(yè)�(shè)��
GA1210Y822MBEAT31G-A, IRFZ44N, FDP5500