GA1210Y823MBCAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電信設(shè)備等領(lǐng)域。其封裝形式為 TO-263,便于散熱和安裝。
該型號(hào)是增強(qiáng)型 N 沾 MOSFET,工作時(shí)通過(guò)柵極電壓控制漏極電流,具有良好的耐用性和可靠性,能夠滿足多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求。
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流:75A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.2mΩ
柵極電荷:90nC
開關(guān)時(shí)間:ton=10ns, toff=15ns
結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝類型:TO-263
GA1210Y823MBCAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PWM 控制電路。
3. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠承受較高的結(jié)溫,確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
4. 強(qiáng)大的過(guò)流能力和短路保護(hù)功能,提升了系統(tǒng)的安全性和耐用性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市場(chǎng)。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 適配器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路,如無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 驅(qū)動(dòng)。
3. 通信設(shè)備中的電源管理模塊。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換電路。
5. 電動(dòng)車和混合動(dòng)力車的電池管理系統(tǒng) (BMS)。
6. 其他需要高效功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。
GA1210Y823MBDAT31G, IRF840, FDP55N20