GA1210Y823MBCAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電信設(shè)備等�(lǐng)域。其封裝形式� TO-263,便于散熱和安裝�
該型�(hào)是增�(qiáng)� N � MOSFET,工作時(shí)通過(guò)柵極電壓控制漏極電流,具有良好的耐用性和可靠�,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)需��
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�75A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�90nC
開關(guān)�(shí)間:ton=10ns, toff=15ns
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TO-263
GA1210Y823MBCAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制電路�
3. 出色的熱�(wěn)定性,能夠承受較高的結(jié)�,確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)��
4. �(qiáng)大的�(guò)流能力和短路保護(hù)功能,提升了系統(tǒng)的安全性和耐用��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市�(chǎng)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,如�(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) �(qū)�(dòng)�
3. 通信�(shè)備中的電源管理模��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換電路�
5. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力車的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
6. 其他需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�
GA1210Y823MBDAT31G, IRF840, FDP55N20