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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y823MBCAT31G

GA1210Y823MBCAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 13:45:37 查看 閱讀�13

GA1210Y823MBCAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電信設(shè)備等�(lǐng)域。其封裝形式� TO-263,便于散熱和安裝�
  該型�(hào)是增�(qiáng)� N � MOSFET,工作時(shí)通過(guò)柵極電壓控制漏極電流,具有良好的耐用性和可靠�,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)需��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�75A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷�90nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=10ns, toff=15ns
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝類型:TO-263

特�

GA1210Y823MBCAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制電路�
  3. 出色的熱�(wěn)定性,能夠承受較高的結(jié)�,確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)��
  4. �(qiáng)大的�(guò)流能力和短路保護(hù)功能,提升了系統(tǒng)的安全性和耐用��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市�(chǎng)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,如�(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) �(qū)�(dòng)�
  3. 通信�(shè)備中的電源管理模��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換電路�
  5. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力車的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
  6. 其他需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

GA1210Y823MBDAT31G, IRF840, FDP55N20

ga1210y823mbcat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-