GA1210Y824MBJAR31G 是一種用于功率管理的 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特性,能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能功率器件的需��
此型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,廣泛適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)控制等場(chǎng)景�
類型:N溝道 MOSFET
電壓等級(jí)�100V
最大漏極電流:12A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.2mΩ
柵極電荷�37nC
總電容(輸入電容):1050pF
功耗:10W
封裝形式:TO-263-3L
GA1210Y824MBJAR31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度降低了開(kāi)�(guān)損耗,適合高頻�(yīng)��
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),使得驅(qū)�(dòng)更加�(jiǎn)便且高效�
4. 高電流承載能�,能夠在大功率場(chǎng)景下�(wěn)定工作�
5. 封裝�(jiān)固耐用,散熱性能�(yōu)越,確保在高溫環(huán)境下也能保持良好的運(yùn)行狀�(tài)�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料,適合綠色電子�(chǎn)品開(kāi)�(fā)�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及適配器設(shè)�(jì)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電路�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
5. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�(shè)�(jì)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化和家電中的功率管理單元�
GA1210Y824MBJAR31G 的可能替代型�(hào)包括 IRFZ44N、STP12NM60 � FDP15U20AE�