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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y824MBJAR31G

GA1210Y824MBJAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 19:46:12 查看 閱讀�7

GA1210Y824MBJAR31G 是一種用于功率管理的 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特性,能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能功率器件的需��
  此型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,廣泛適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)控制等場(chǎng)景�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  電壓等級(jí)�100V
  最大漏極電流:12A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.2mΩ
  柵極電荷�37nC
  總電容(輸入電容):1050pF
  功耗:10W
  封裝形式:TO-263-3L

特�

GA1210Y824MBJAR31G 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度降低了開(kāi)�(guān)損耗,適合高頻�(yīng)��
  3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),使得驅(qū)�(dòng)更加�(jiǎn)便且高效�
  4. 高電流承載能�,能夠在大功率場(chǎng)景下�(wěn)定工作�
  5. 封裝�(jiān)固耐用,散熱性能�(yōu)越,確保在高溫環(huán)境下也能保持良好的運(yùn)行狀�(tài)�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料,適合綠色電子�(chǎn)品開(kāi)�(fā)�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及適配器設(shè)�(jì)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
  5. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�(shè)�(jì)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和家電中的功率管理單元�

替代型號(hào)

GA1210Y824MBJAR31G 的可能替代型�(hào)包括 IRFZ44N、STP12NM60 � FDP15U20AE�

ga1210y824mbjar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.82 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-