GA1812A101FXBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì),主要用于高頻開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及�(yōu)秀的熱性能,適用于各種�(duì)效率和可靠性要求較高的�(chǎng)景�
此型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其封裝形式通常為表面貼裝類�,能夠有效減小寄生電感并提升整體系統(tǒng)性能�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�31A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:420pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1812A101FXBAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器和開�(guān)電源�
3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,有助于降低開�(guān)噪聲和電磁干� (EMI)�
4. 封裝�(yōu)化設(shè)�(jì)可以改善散熱性能,支持更高功率密度的�(yīng)用�
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場(chǎng)�(zhǔn)入要求�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)與充放電控制�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源設(shè)��
5. 汽車電子中的�(fù)載切換和電源管理�
6. 工業(yè)自動(dòng)化及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��
GA1812A101FXBAR30G, IRF3205, FDP55N06L