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GA1812A121GBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 13:09:33 查看 閱讀�16

GA1812A121GBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�。該芯片主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場�,如開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等。其封裝形式� TO-263,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),能夠滿足工業(yè)級應(yīng)用對可靠性和性能的要��
  該型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET 系列,支持高頻工作環(huán)�,同時具備出色的熱性能表現(xiàn)。通過�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻之間的�(quán)�,這款芯片能夠在各種負載條件下提供�(wěn)定的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  總電容:280pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263

特�

GA1812A121GBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))使得傳�(dǎo)損耗降到最�,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力得益于較小的柵極電荷,適用于高頻�(yīng)��
  3. 強大的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下長期�(wěn)定運行�
  4. 提供過流保護功能,確保在異常情況下器件的安全��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適用于現(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. 具備較強的抗 ESD(靜電放電)能力,增強了器件的可靠��
  7. 表面貼裝封裝提高� PCB 布局靈活性并簡化了裝配過程�

�(yīng)�

GA1812A121GBAAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器中作為主功率開�(guān)�
  2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流和降�/升壓電路�
  3. 工業(yè)電機�(qū)動及控制電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  5. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率開關(guān)�
  6. 汽車電子�(shè)備中的負載切換和保護電路�
  7. 高效 LED �(qū)動器�(shè)計�

替代型號

GA1812A121GBAAR29G, IRFZ44N, FDP5500

ga1812a121gbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-