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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A121GXAAR31G

GA1812A121GXAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 20:12:09 查看 閱讀�19

GA1812A121GXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)景。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��

參數(shù)

型號(hào):GA1812A121GXAAR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�50A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ (典型�,在Vgs=10V�(shí))
  輸入電容(Ciss)�3400pF
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1812A121GXAAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少發(fā)熱并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力可以支持高頻工作�(huán)�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
  3. 良好的熱性能確保其能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)�(shè)�(jì)提高了器件的可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. 可靠性經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,具備長(zhǎng)壽命特點(diǎn)�

�(yīng)�

該芯片適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率控制場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)控制�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 太陽(yáng)能逆變器及不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
  4. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽�(HEV)的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
  5. 各種DC-DC�(zhuǎn)換器和AC-DC適配器�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換功��

替代型號(hào)

IRFP2907, FDP5800

ga1812a121gxaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-