最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：120A
　　導(dǎo)通電阻：1.2mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　總電容：450pF
　　工作溫度范圍：-40℃至175℃

GA1812A122FBCAR31G 提供了非常低的導(dǎo)通電阻，從而顯著減少了功率損耗并提高了整體系統(tǒng)效率。
　　此外，該器件具有快速開(kāi)關(guān)速度，能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　其優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行，并且具備強(qiáng)大的短路耐受能力。
　　同時(shí)，內(nèi)置的保護(hù)機(jī)制如過(guò)流保護(hù)和熱關(guān)斷功能增強(qiáng)了系統(tǒng)的安全性。
　　該芯片符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，確保了在極端環(huán)境下的可靠性能。

這款功率 MOSFET 主要用于高效能電力電子設(shè)備中，例如：
　　電動(dòng)汽車的牽引逆變器、車載充電器以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　工業(yè)領(lǐng)域中的大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)。
　　消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的筆記本電腦適配器、快充頭以及其他高功率密度的 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。
　　此外，在太陽(yáng)能微逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)中也得到了廣泛應(yīng)用。

GA1812A122FBCAR29G, GA1812A122FBCAR33G