GA1812A123FXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的應用場景�(shè)�。該器件采用先進的制造工藝,具備較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于各類電源管理、電機驅(qū)動以及工�(yè)控制�(lǐng)域。其封裝形式和電氣特性使其成為眾多工程師在設(shè)計高效能電路時的理想選擇�
這款功率 MOSFET 的主要特點是低導通電阻(Rds(on)�,從而減少了能量損耗并提升了整體系�(tǒng)的效率。同�,其出色的熱性能確保了在高負載條件下的穩(wěn)定性�
型號:GA1812A123FXAAT31G
類型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�50A
導通電�(Rds(on))�2mΩ
功�(Pd)�100W
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247
GA1812A123FXAAT31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(2mΩ�,可有效降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應�,減少開�(guān)損耗�
3. 出色的熱性能,能夠承受更高的功率密度�
4. 強大的過流保護能�,確保在異常情況下不會輕易損��
5. 封裝形式兼容性強,便于集成到各種應用中�
6. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適合極端環(huán)境下的使用需��
該芯片廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 通信電源
6. 太陽能逆變�
7. 電動車及混合動力汽車的電力管理系�(tǒng)
由于其高效的性能表現(xiàn)和寬泛的應用適配�,GA1812A123FXAAT31G 成為了許多高要求應用場合的首選解決方��
IRF540N
STP55NF06L
FDP5570N
AOI512