GA1812A181GBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠�。此�,其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),具備良好的散熱性能和電氣特性�
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠在高頻工作條件下保持出色的性能表現(xiàn)。同�(shí),它還集成了多種保護(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),確保在�(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�2000pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1812A181GBCAR31G 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)頻率兼容�,這使其非常適合用于需要高效能和快速切換的�(yīng)用場(chǎng)��
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度可以支持高頻操作,從而減小外部元件尺�,降低系�(tǒng)成本�
3. 高溫適應(yīng)能力,使得該芯片能夠在嚴(yán)苛的工作�(huán)境中�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置保�(hù)�(jī)制增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和安全性�
5. �(yōu)化的封裝�(jié)�(gòu)提升了熱管理性能,�(jìn)一步改善了功率密度�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于實(shí)�(xiàn)高效的功率控��
3. 新能源汽�(chē)中的逆變器和�(chē)載充電器�
4. 大功� LED �(qū)�(dòng)�,提供穩(wěn)定的電流輸出�
5. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊,滿足不同電壓等�(jí)之間的轉(zhuǎn)換需��
IRFP2907ALPBF
FDP150N06L
STW84N60DM2