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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A221GBGAR31G

GA1812A221GBGAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 18:52:09 查看 閱讀�15

GA1812A221GBGAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  該芯片基于溝槽式 MOSFET 技�(shù)�(shè)�(jì),適用于需要高效能和低損耗的電力電子�(yīng)用場(chǎng)合�

參數(shù)

型號(hào):GA1812A221GBGAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�45A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ(典型值)
  總功�(Ptot)�175W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  柵極電荷(Qg)�9nC(典型值)
  輸入電容(Ciss)�3020pF(典型值)

特�

GA1812A221GBGAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  3. �(qiáng)大的電流承載能力,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)景�
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. �(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并增�(qiáng)系統(tǒng)保護(hù)功能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)元件�
  3. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 汽車電子中的電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS)及制�(dòng)系統(tǒng)�

替代型號(hào)

IRF3710, FDP5500, STP55NF06L

ga1812a221gbgar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定1000V�1kV�
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-