GA1812A221GBGAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該芯片基于溝槽式 MOSFET 技�(shù)�(shè)�(jì),適用于需要高效能和低損耗的電力電子�(yīng)用場(chǎng)合�
型號(hào):GA1812A221GBGAR31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ(典型值)
總功�(Ptot)�175W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
柵極電荷(Qg)�9nC(典型值)
輸入電容(Ciss)�3020pF(典型值)
GA1812A221GBGAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. �(qiáng)大的電流承載能力,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)景�
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
5. �(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并增�(qiáng)系統(tǒng)保護(hù)功能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)元件�
3. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 汽車電子中的電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS)及制�(dòng)系統(tǒng)�
IRF3710, FDP5500, STP55NF06L