GA1812A392JXEAT31G 是一款高性能、高效率的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝和封裝技�,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)�、開關電源等領域。該器件具備低導通電�、快速開關特性和高可靠�,能夠有效降低能耗并提升系統(tǒng)性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強型場效應晶體�,適用于中高壓場�,其設計�(yōu)化了動態(tài)和靜�(tài)特性,從而適應更廣泛的工�(yè)和消費類電子應用需��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�14A
導通電阻:0.07Ω
柵極電荷�45nC
輸入電容�1200pF
最大功耗:200W
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA1812A392JXEAT31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可�600V,適合多種高壓應用場景�
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在額定條件下僅�0.07Ω,有助于減少傳導損��
3. 快速開關特�,具有較小的柵極電荷和輸入電�,支持高頻操��
4. 強大的電流處理能�,連續(xù)漏極電流高達14A,滿足大功率需��
5. 寬工作溫度范圍,�-55℃到175�,保證在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
6. 先進的封裝形式,增強了散熱性能和機械強��
該芯片適用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)設計,用于高效能量�(zhuǎn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
3. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動和控制�
4. 新能源領域,如太陽能逆變器和電動汽車充電系統(tǒng)�
5. 各種保護電路,例如過流保護和短路保護�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的負載切換和電源管理模塊�
IRFP460, FQP17N60, STP14NK60Z