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GA1812A560FBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/4 13:42:25 查看 閱讀:8

GA1812A560FBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。該芯片主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效率電力電子領(lǐng)域。它具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的熱性能等特點(diǎn)。
  此型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于中高電壓應(yīng)用場景。其優(yōu)化設(shè)計(jì)能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:56A
  導(dǎo)通電阻:0.014Ω
  柵極電荷:75nC
  輸入電容:2200pF
  總功耗:150W
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

GA1812A560FBAAR31G具備以下突出特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場合。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行。
  4. 高度耐用的封裝結(jié)構(gòu),提供強(qiáng)大的機(jī)械保護(hù)。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
  這些特性使得該芯片成為眾多工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。

應(yīng)用

這款功率MOSFET廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 電動工具、家用電器和其他設(shè)備中的電機(jī)控制。
  3. 新能源汽車充電樁、太陽能逆變器等新能源相關(guān)產(chǎn)品。
  4. 各種類型的DC-DC轉(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓以及升降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護(hù)電路。
  GA1812A560FBAAR31G憑借其卓越的性能表現(xiàn),在以上應(yīng)用場景中展現(xiàn)出極高的實(shí)用價(jià)值。

替代型號

GA1812A560FBAAR31G, IRFP260N, STP55NF06L

ga1812a560fbaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容56 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-