GA1812A560GBGAT31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率并減少能量損耗。
該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列,適用于需要高電流承載能力和高頻工作的工業(yè)與消費(fèi)電子領(lǐng)域。
類型:功率MOSFET
極性:N-channel
漏源電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247
GA1812A560GBGAT31G具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為4mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能,柵極電荷較低,可實(shí)現(xiàn)高頻操作。
3. 高電流處理能力,額定漏極電流高達(dá)40A,適合大功率應(yīng)用。
4. 寬泛的工作溫度范圍,支持從-55℃到+175℃的極端環(huán)境。
5. 具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的工業(yè)級(jí)應(yīng)用。
6. 封裝形式為T(mén)O-247,便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電機(jī)(BLDC)或步進(jìn)電機(jī)。
4. 能量回收系統(tǒng)及電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率調(diào)節(jié)單元。
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)模塊。
6. 汽車(chē)電子中的逆變器和電源管理部分。
IRF540N
STP55NF06
FDP5500