GA1812A680FBLAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝道型 MOSFET 系列。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、工�(yè)控制和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
這款芯片特別適用于要求高效率和低功耗的�(yīng)用場�,能夠有效降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
型號:GA1812A680FBLAR31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝形式:TO-247-3L
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�12A
導通電�(Rds(on))�0.068Ω
總功�(Ptot)�200W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +150°C
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
GA1812A680FBLAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下顯著減少功率損耗�
2. 高擊穿電� (Vds),使其適用于高壓�(yīng)用環(huán)��
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,減少開�(guān)損耗�
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�,提高了散熱效率,增強了長期運行的可靠��
5. 強大的短路耐受能力,確保在異常情況下仍然可以保持穩(wěn)定的工作狀�(tài)�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
GA1812A680FBLAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和直�-直流�(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動和伺服控制系統(tǒng)�
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
4. 電動工具和家電中的高效功率轉(zhuǎn)��
5. 電動車充電設(shè)備和車載電子系統(tǒng)�
6. 高壓電路保護和負載切換應(yīng)��
其卓越的性能和可靠性使其成為多種工�(yè)和消費類�(yīng)用的理想選擇�
IRFP260N
STP12NK65Z
FDP16N65B
IXFN120N65T2