時間：2025/5/20 20:23:15
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GA1812A680FBLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，屬于溝道型 MOSFET 系列。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、工業(yè)控制和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。
這款芯片特別適用于要求高效率和低功耗的應(yīng)用場合，能夠有效降低系統(tǒng)能耗并提升整體性能。
型號：GA1812A680FBLAR31G
類型：N-Channel MOSFET
封裝形式：TO-247-3L
最大漏源電壓(Vds)：650V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：12A
導通電阻(Rds(on))：0.068Ω
總功耗(Ptot)：200W
工作溫度范圍(Ta)：-55°C 至 +150°C
結(jié)溫范圍(Tj)：-55°C 至 +175°C
GA1812A680FBLAR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，能夠在高電流條件下顯著減少功率損耗。
2. 高擊穿電壓 (Vds)，使其適用于高壓應(yīng)用環(huán)境。
3. 快速開關(guān)能力，支持高頻操作，減少開關(guān)損耗。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計，提高了散熱效率，增強了長期運行的可靠性。
5. 強大的短路耐受能力，確保在異常情況下仍然可以保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
GA1812A680FBLAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動和伺服控制系統(tǒng)。
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)。
4. 電動工具和家電中的高效功率轉(zhuǎn)換。
5. 電動車充電設(shè)備和車載電子系統(tǒng)。
6. 高壓電路保護和負載切換應(yīng)用。
其卓越的性能和可靠性使其成為多種工業(yè)和消費類應(yīng)用的理想選擇。
IRFP260N
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IXFN120N65T2
