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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A680FXAAR31G

GA1812A680FXAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 12:56:19 查看 閱讀�11

GA1812A680FXAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其封裝形式� TO-247,適合高電流、高電壓�(yīng)用環(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:68mΩ
  柵極電荷�105nC
  �(kāi)�(guān)速度:超�
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1812A680FXAAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(68mΩ�,可有效減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,柵極電荷僅� 105nC,能�?qū)崿F(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度�
  3. 寬工作溫度范圍(-55� � +150℃),適用于各種惡劣�(huán)境條件�
  4. 高可靠性設(shè)�(jì),具備出色的抗浪涌能力和 ESD 保護(hù)性能�
  5. 封裝形式� TO-247,便于散熱設(shè)�(jì),滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景的需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電路�
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 電動(dòng)�(chē)及電�(dòng)工具的驅(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
  6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和快速開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

GA1812A680FXAAR31G-A, IRFZ44N, FQP50N06L

ga1812a680fxaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容68 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-