GA1812A681FBLAT31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率晶體管,屬于增強型 GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)系�。該型號專為高頻、高功率密度應用場景設計,具有低導通電�、快速開關特性和高擊穿電壓等�(yōu)�。其采用先進的封裝技�,適用于電源轉換、電機驅動和無線充電等領��
該器件通過�(yōu)化柵極驅動設�,能夠顯著降低開關損耗,并提升整體系�(tǒng)效率。同�,其出色的熱性能使其能夠在高負載條件下穩(wěn)定運��
類型:增強型 GaN HEMT
導通電阻(Rds(on)):40 mΩ(典型�,@25°C�
擊穿電壓(BVDSS):650 V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.2 V ~ 3.0 V
最大漏極電流(Id):20 A
工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
封裝形式:TO-247-4L
開關頻率:高� 5 MHz
存儲濕度:≤90%(無凝結�
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的獨特屬性,GA1812A681FBLAT31G 可以實現(xiàn)比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 更低的開關損耗和導通損�,從而提高系�(tǒng)的整體效��
2. 快速開關速度:此器件支持高達 5 MHz 的開關頻�,非常適合高頻應�,例� D類音頻放大器� DC-DC 轉換��
3. 熱穩(wěn)定性強:其耐高溫能力使該芯片在極端�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的電氣性能�
4. 易于驅動:較低的柵極電荷量簡化了驅動電路的設�,同時減少了驅動損��
5. 小型化與高功率密度:相比傳統(tǒng)方案,使用該 GaN 器件可以大幅減小功率模塊的體�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊設計的需��
1. 開關電源(SMPS):
包括 AC-DC � DC-DC 轉換器,特別是在圖騰� PFC � LLC 諧振變換器中表現(xiàn)出色�
2. 電機驅動�
高頻 PWM 控制下的無刷直流電機驅動系統(tǒng)�
3. 充電器:
快速充電器以及便攜式設備的高效充電解決方案�
4. 工業(yè)電源�
用于工業(yè)設備中的高頻逆變器和電源管理單元�
5. 無線充電�
支持更高效率和更大發(fā)射距離的無線充電�(fā)射端設計�
GaN Systems GS66508T, Transphorm TP65H030WSG