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GA1812A681FBLAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 13:17:28 查看 閱讀�16

GA1812A681FBLAT31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率晶體管,屬于增強型 GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)系�。該型號專為高頻、高功率密度應用場景設計,具有低導通電�、快速開關特性和高擊穿電壓等�(yōu)�。其采用先進的封裝技�,適用于電源轉換、電機驅動和無線充電等領��
  該器件通過�(yōu)化柵極驅動設�,能夠顯著降低開關損耗,并提升整體系�(tǒng)效率。同�,其出色的熱性能使其能夠在高負載條件下穩(wěn)定運��

參數(shù)

類型:增強型 GaN HEMT
  導通電阻(Rds(on)):40 mΩ(典型�,@25°C�
  擊穿電壓(BVDSS):650 V
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.2 V ~ 3.0 V
  最大漏極電流(Id):20 A
  工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
  封裝形式:TO-247-4L
  開關頻率:高� 5 MHz
  存儲濕度:≤90%(無凝結�

特�

1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的獨特屬性,GA1812A681FBLAT31G 可以實現(xiàn)比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 更低的開關損耗和導通損�,從而提高系�(tǒng)的整體效��
  2. 快速開關速度:此器件支持高達 5 MHz 的開關頻�,非常適合高頻應�,例� D類音頻放大器� DC-DC 轉換��
  3. 熱穩(wěn)定性強:其耐高溫能力使該芯片在極端�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的電氣性能�
  4. 易于驅動:較低的柵極電荷量簡化了驅動電路的設�,同時減少了驅動損��
  5. 小型化與高功率密度:相比傳統(tǒng)方案,使用該 GaN 器件可以大幅減小功率模塊的體�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊設計的需��

應用

1. 開關電源(SMPS):
   包括 AC-DC � DC-DC 轉換器,特別是在圖騰� PFC � LLC 諧振變換器中表現(xiàn)出色�
  2. 電機驅動�
   高頻 PWM 控制下的無刷直流電機驅動系統(tǒng)�
  3. 充電器:
   快速充電器以及便攜式設備的高效充電解決方案�
  4. 工業(yè)電源�
   用于工業(yè)設備中的高頻逆變器和電源管理單元�
  5. 無線充電�
   支持更高效率和更大發(fā)射距離的無線充電�(fā)射端設計�

替代型號

GaN Systems GS66508T, Transphorm TP65H030WSG

ga1812a681fblat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-