時間：2025/5/15 11:21:00
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GA1812A681FXEAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，能夠在高效率和高可靠性要求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
其封裝形式為TO-252（DPAK），適合表面貼裝工藝，能夠有效降低系統(tǒng)成本并提高設(shè)計靈活性。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：47A
導(dǎo)通電阻：1.3mΩ
柵極電荷：90nC
開關(guān)頻率：500kHz
工作溫度范圍：-55℃至150℃
GA1812A681FXEAT31G的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣性能和可靠性。首先，它具備極低的導(dǎo)通電阻（僅1.3mΩ），這使得在大電流應(yīng)用中能顯著降低功耗并提升效率。
其次，該器件的柵極電荷較�。�90nC），有助于實現(xiàn)高速開關(guān)操作，從而減少開關(guān)損耗。
此外，其封裝形式TO-252（DPAK）提供了良好的散熱能力，并且兼容自動化表面貼裝生產(chǎn)工藝，簡化了裝配流程。
同時，這款MOSFET支持的工作溫度范圍寬廣（-55℃至150℃），確保了在極端環(huán)境條件下的穩(wěn)定運行。
該芯片主要應(yīng)用于各類高效電源轉(zhuǎn)換場景，包括但不限于DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、電池管理系統(tǒng)（BMS）、電機驅(qū)動電路以及消費電子設(shè)備中的負載開關(guān)等。
由于其出色的性能和可靠性，GA1812A681FXEAT31G特別適合工業(yè)級和汽車級應(yīng)用，例如電動工具、電動車充電模塊和家用電器中的功率控制單元。
IRF6672,
STP100N06,
FDP180N06L
