GA1812A681FXGAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和開關(guān)電源等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款芯片主要針對需要高效能和低功耗的應(yīng)用場景設(shè)計(jì),例如適配器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。其封裝形式通常為表面貼裝類型,方便自動化生產(chǎn)和散熱管理。
型號:GA1812A681FXGAT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5mΩ(典型值)
輸入電容(Ciss):1300pF
總柵極電荷(Qg):55nC
工作溫度范圍:-55°C至+175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了更高的系統(tǒng)效率和更低的發(fā)熱。
2. 高速開關(guān)性能減少了開關(guān)損耗,特別適合高頻應(yīng)用。
3. 強(qiáng)大的雪崩能力增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐受性。
4. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD保護(hù)),提升了整體可靠性。
5. 小型化的封裝使其適用于空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率處理單元。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動電路中的功率控制模塊。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
5. 電動車窗、座椅調(diào)節(jié)等汽車電子系統(tǒng)的執(zhí)行機(jī)構(gòu)驅(qū)動。
6. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能。
GA1812A681FXGAT32G
IRF540N
FDP5800
STP40NF06L