GA1812A681GXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備極低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,非常適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)��
其封裝形式和引腳布局�(jīng)�(guò)�(yōu)�,能夠有效降低寄生電感和熱阻,從而提高整體性能并延�(zhǎng)使用壽命�
型號(hào):GA1812A681GXAAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值)
柵極電荷�45nC(最大值)
連續(xù)漏極電流�120A(@25°C�
功耗:144W(最大值)
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,支持高頻應(yīng)�,適合現(xiàn)代高效能電源�(shè)�(jì)�
3. 高電流承載能�,能夠滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景的需��
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
5. �(wěn)定的電氣性能和高耐用�,適用于工業(yè)�(jí)及汽車級(jí)�(yīng)��
6. 封裝�(jié)�(gòu)緊湊且散熱性能�(yōu)�,便于集成到各種功率模塊��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 充電器及逆變器中的功率轉(zhuǎn)換組��
6. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
GA1812A681GXAAR31H, IRF540N, FDP177N10A, STP120N10F