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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A822GXCAR31G

GA1812A822GXCAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 11:18:03 查看 閱讀�19

GA1812A822GXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在提供高效率的同時(shí)具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)和焊�,同�(shí)具有良好的散熱性能。該型號(hào)特別適合于對(duì)效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�35A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)速度:超快恢�(fù)
  工作溫度范圍�-55℃至150�
  封裝形式:TO-263

特�

GA1812A822GXCAR31G采用了溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),從而顯著降低了�(dǎo)通電阻,并提高了電流承載能力。該芯片還具備以下特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損��
  2. 快速開�(guān)特�,可支持高頻開關(guān)�(yīng)用�
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升了芯片在惡劣環(huán)境下的抗干擾能力�
  4. 高電流處理能力,適用于大功率�(yīng)用領(lǐng)��
  5. 良好的熱�(wěn)定性,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)的可靠��
  此外,該器件通過(guò)了多�(xiàng)�(guó)際認(rèn)�,包括RoHS、REACH等環(huán)保標(biāo)�(zhǔn),符合現(xiàn)代綠色電子設(shè)�(jì)理念�

�(yīng)�

該型�(hào)廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,例如:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 直流�(wú)刷電�(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 工業(yè)控制中的�(fù)載切�
  4. 電動(dòng)車電池管理系�(tǒng)(BMS�
  5. 太陽(yáng)能逆變�
  6. 各種適配器和充電�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,GA1812A822GXCAR31G成為了許多工程師在設(shè)�(jì)高效功率�(zhuǎn)換電路時(shí)的首選解決方��

替代型號(hào)

GA1812A822GXCR31G
  IRF7729PbF
  FDP16N60E

ga1812a822gxcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-