GA1812A822GXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在提供高效率的同時(shí)具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)和焊�,同�(shí)具有良好的散熱性能。該型號(hào)特別適合于對(duì)效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�35A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)速度:超快恢�(fù)
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝形式:TO-263
GA1812A822GXCAR31G采用了溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),從而顯著降低了�(dǎo)通電阻,并提高了電流承載能力。該芯片還具備以下特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損��
2. 快速開�(guān)特�,可支持高頻開關(guān)�(yīng)用�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升了芯片在惡劣環(huán)境下的抗干擾能力�
4. 高電流處理能力,適用于大功率�(yīng)用領(lǐng)��
5. 良好的熱�(wěn)定性,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)的可靠��
此外,該器件通過(guò)了多�(xiàng)�(guó)際認(rèn)�,包括RoHS、REACH等環(huán)保標(biāo)�(zhǔn),符合現(xiàn)代綠色電子設(shè)�(jì)理念�
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,例如:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 直流�(wú)刷電�(jī)�(qū)�(dòng)
3. 工業(yè)控制中的�(fù)載切�
4. 電動(dòng)車電池管理系�(tǒng)(BMS�
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. 各種適配器和充電�
由于其出色的電氣特性和可靠�,GA1812A822GXCAR31G成為了許多工程師在設(shè)�(jì)高效功率�(zhuǎn)換電路時(shí)的首選解決方��
GA1812A822GXCR31G
IRF7729PbF
FDP16N60E