GA1812Y683MBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于多種電源管理場景。
該芯片主要應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動等場合。其卓越的性能參數(shù)和可靠性使得它在工業(yè)控制、通信設(shè)備及消費(fèi)電子領(lǐng)域中被廣泛使用。
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):35A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
總柵極電荷(Qg):74nC
輸入電容(Ciss):3190pF
封裝形式:TO-247
GA1812Y683MBEAT31G 具備以下特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損耗。
2. 快速的開關(guān)特性,適合高頻工作環(huán)境。
3. 高度可靠的短路保護(hù)能力,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計,有助于提升散熱效率。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛材料制作。
6. 多種保護(hù)機(jī)制集成,包括過流保護(hù)和過溫保護(hù)等功能。
這些特性共同保障了該芯片在復(fù)雜電力系統(tǒng)中的高效表現(xiàn)和長壽命。
該芯片適用于廣泛的工業(yè)和消費(fèi)類電子應(yīng)用:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)中的同步整流管。
3. 電動工具和小型電機(jī)的驅(qū)動電路。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
5. 通信基站的電源管理模塊。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制部分。
由于其強(qiáng)大的電流處理能力和快速開關(guān)速度,這款 MOSFET 在需要高效能和高可靠性的場合中具有顯著優(yōu)勢。
GA1812Y683MBEAT31H, IRF3205, AOD510