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GA1812Y683MXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 16:34:41 查看 閱讀:28

GA1812Y683MXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
  該器件采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備優(yōu)異的電氣特性和可靠性,適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)應(yīng)用。

參數(shù)

型號(hào):GA1812Y683MXAAT31G
  類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝形式:TO-247
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):12A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.12Ω
  功耗(Ptot):250W
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃

特性

GA1812Y683MXAAT31G 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,支持高達(dá)650V的漏源電壓,使其適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為0.12Ω,在大電流條件下能夠減少功耗并提升系統(tǒng)效率。
  3. 快速開(kāi)關(guān)性能,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗,特別適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,可承受高溫環(huán)境,確保在嚴(yán)苛條件下的可靠運(yùn)行。
  5. 緊湊且堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì),提高了散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。

應(yīng)用

該芯片適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
  4. 太陽(yáng)能逆變器
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制
  6. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高效功率管理模塊
  7. 電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備

替代型號(hào)

GA1812Y683MXAAT32G, IRF840, STP12NM60

ga1812y683mxaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-