GA1812Y683MXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
該器件采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備優(yōu)異的電氣特性和可靠性,適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)應(yīng)用。
型號(hào):GA1812Y683MXAAT31G
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-247
最大漏源電壓(Vds):650V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id):12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.12Ω
功耗(Ptot):250W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
GA1812Y683MXAAT31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,支持高達(dá)650V的漏源電壓,使其適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為0.12Ω,在大電流條件下能夠減少功耗并提升系統(tǒng)效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗,特別適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,可承受高溫環(huán)境,確保在嚴(yán)苛條件下的可靠運(yùn)行。
5. 緊湊且堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì),提高了散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。
該芯片適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 太陽(yáng)能逆變器
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制
6. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高效功率管理模塊
7. 電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備
GA1812Y683MXAAT32G, IRF840, STP12NM60