GA1812Y683MXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
這款器件適用于需要高效率和低損耗的電力電子應(yīng)用,并且通過優(yōu)化設(shè)計降低了電磁干擾(EMI)問題,提升了整體性能表現(xiàn)。
型號:GA1812Y683MXCAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-247
最大漏源電壓(VDS):650V
最大柵源電壓(VGS):±20V
最大漏極電流(ID):18A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):0.18Ω
功耗(PD):190W
工作溫度范圍(TJ):-55℃至+175℃
總電荷(Qg):70nC
GA1812Y683MXCAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場景;
2. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),有效減少傳導(dǎo)損耗;
3. 快速開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗;
4. 出色的熱性能,保證高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行;
5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路,提高了產(chǎn)品的可靠性和抗干擾能力;
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如適配器和充電器;
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動控制;
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng);
4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器與升壓模塊;
5. 電動車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng);
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品。
IRFP260N
STP18NF55
FDP18N65C
IXFN120N65T2