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GA1812Y683MXCAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/6 11:26:31 查看 閱讀:7

GA1812Y683MXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
  這款器件適用于需要高效率和低損耗的電力電子應(yīng)用,并且通過優(yōu)化設(shè)計降低了電磁干擾(EMI)問題,提升了整體性能表現(xiàn)。

參數(shù)

型號:GA1812Y683MXCAR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝形式:TO-247
  最大漏源電壓(VDS):650V
  最大柵源電壓(VGS):±20V
  最大漏極電流(ID):18A
  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):0.18Ω
  功耗(PD):190W
  工作溫度范圍(TJ):-55℃至+175℃
  總電荷(Qg):70nC

特性

GA1812Y683MXCAR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場景;
  2. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),有效減少傳導(dǎo)損耗;
  3. 快速開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗;
  4. 出色的熱性能,保證高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行;
  5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路,提高了產(chǎn)品的可靠性和抗干擾能力;
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如適配器和充電器;
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動控制;
  3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng);
  4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器與升壓模塊;
  5. 電動車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng);
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品。

替代型號

IRFP260N
  STP18NF55
  FDP18N65C
  IXFN120N65T2

ga1812y683mxcar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-