GA1812Y684JBAAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路以及電機(jī)�(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低能��
該芯片具有強(qiáng)大的電流承載能力,同時提供優(yōu)異的熱性能和可靠性,適合在高功率密度的設(shè)計中使用。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)�,可以滿足各種嚴(yán)苛的工作�(huán)境需��
型號:GA1812Y684JBAAT31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
柵極電荷(Qg)�35nC
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場��
3. �(qiáng)大的電流承載能力,支持高�(dá)30A的連續(xù)漏極電流�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)可靠運行�
5. 提供多種保護(hù)功能選項,如過溫保護(hù)和過流保�(hù),增�(qiáng)整體�(shè)計的安全��
6. 兼容性強(qiáng),易于集成到�(xiàn)有的電源管理和電�(jī)�(qū)動解決方案中�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)��
2. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動電路�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
4. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�(yīng)�,例如啟動馬�(dá)或DC-DC�(zhuǎn)換器�
6. 通信基站和服�(wù)器電源中的高效功率轉(zhuǎn)換組件�
IRF3205
FDP5510
AOT290L