GA1812Y823JXEAT31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高功率晶體�,專為高�、高效能�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用了先進的增強� GaN 工藝,具有卓越的開關(guān)速度和低�(dǎo)通電阻特性,適合用于電源管理、無線充�、工�(yè)電源、通信�(shè)備等�(lǐng)域的高性能需求�
其封裝形式采用行�(yè)標準的表面貼裝技�(shù) (SMD),能夠有效提升散熱性能并簡� PCB 布局�(shè)計�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
柵極電荷�95nC
反向恢復(fù)時間�25ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低功耗并提高效率�
2. 高頻開關(guān)能力,適用于高達 MHz 級別的開�(guān)頻率�(yīng)��
3. �(nèi)� ESD 保護功能,增強了器件在實際應(yīng)用中的可靠��
4. 小尺寸封�,有助于減少整體系統(tǒng)體積�
5. 支持高密度功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)�(gòu),如 LLC 諧振�(zhuǎn)換器和圖騰柱 PFC 電路�
6. 具備良好的熱�(wěn)定性和長期可靠�,適合惡劣環(huán)境下的工�(yè)和汽車應(yīng)��
1. 高效 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源和電信基站電源�
3. 快速充電器和無線充電設(shè)��
4. 工業(yè)電機�(qū)動和逆變器控制�
5. 新能源領(lǐng)�,例如太陽能逆變器和電動車車載充電器�
6. 高頻放大器及雷達系統(tǒng)的功率模��
KJ1812G823JXEA31G, GA1812Y823JXEAQ31G