GA243DR7E2473MW01L 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能�
其設(shè)計注重效率與可靠性,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確電流控制的場�。同時,該器件具備出色的抗干擾能力和靜電保護(hù)特�,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�70V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�24A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
輸入電容(Ciss)�3800pF
輸出電容(Coss)�650pF
反向傳輸電容(Crss)�120pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA243DR7E2473MW01L 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場�,減少開�(guān)損��
3. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率�(fù)載需��
4. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
5. �(nèi)置完善的保護(hù)�(jī)制,如過流保�(hù)和短路保�(hù),提升產(chǎn)品的可靠性和安全��
6. 小型化封裝設(shè)�,有助于節(jié)� PCB 空間,簡化散熱設(shè)��
該型� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中作為�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級組件�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載控制開�(guān)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 太陽能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品中的功率變換部��
IRF740,
STP24NF06,
FDP16N70,
AO3400