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GA243DR7E2473MW01L 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 11:28:41 查看 閱讀�10

GA243DR7E2473MW01L 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能�
  其設(shè)計注重效率與可靠性,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確電流控制的場�。同時,該器件具備出色的抗干擾能力和靜電保護(hù)特�,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�70V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�24A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  輸入電容(Ciss)�3800pF
  輸出電容(Coss)�650pF
  反向傳輸電容(Crss)�120pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA243DR7E2473MW01L 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場�,減少開�(guān)損��
  3. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率�(fù)載需��
  4. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  5. �(nèi)置完善的保護(hù)�(jī)制,如過流保�(hù)和短路保�(hù),提升產(chǎn)品的可靠性和安全��
  6. 小型化封裝設(shè)�,有助于節(jié)� PCB 空間,簡化散熱設(shè)��

�(yīng)�

該型� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中作為�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級組件�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載控制開�(guān)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  6. 太陽能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品中的功率變換部��

替代型號

IRF740,
  STP24NF06,
  FDP16N70,
  AO3400

ga243dr7e2473mw01l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ga243dr7e2473mw01l參數(shù)

  • 制造商Murata
  • 電容0.047 uF
  • 容差20 %
  • 電壓額定�250 VoltsAC
  • 溫度系數(shù)/代碼X7R
  • 外殼代碼 - in1812
  • 外殼代碼 - mm4532
  • 工作溫度范圍- 55 C to + 125 C
  • �(chǎn)�General Type MLCCs
  • 封裝Reel
  • Capacitance - nF47 nF
  • Capacitance - pF47000 pF
  • 尺寸3.2 mm W x 4.5 mm L x 2 mm H
  • 封裝 / 箱體1812 (4532 metric)
  • 系列GA2
  • 工廠包裝�(shù)�1000
  • 端接類型SMD/SMT