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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA35XCP12-247

GA35XCP12-247 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/3 15:01:32 查看 閱讀�596

    制造商:GeneSiCSemiconductor

    RoHS:是

    

    

目錄

概述

    制造商:GeneSiCSemiconductor

    RoHS:是

    �(chǎn)品:IGBTSiliconCarbideModules

    封裝:Bulk


資料

廠商
GeneSiC Semiconductor

ga35xcp12-247推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ga35xcp12-247參數(shù)

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • �(chǎn)�IGBT Silicon Carbide Modules
  • 配置Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO1200 V
  • 集電極—射極飽和電�3 V
  • �25 C的連續(xù)集電極電�35 A
  • 柵極—射極漏泄電�500 nA
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 封裝 / 箱體TO-247AB
  • 封裝Bulk
  • 最小工作溫�- 40 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole