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GA35XCP12-247 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/3 15:01:32 查看 閱讀：596

    制造商：GeneSiCSemiconductor

    RoHS：是

    

    

目錄

概述

    制造商：GeneSiCSemiconductor

    RoHS：是

    產(chǎn)品：IGBTSiliconCarbideModules

    封裝：Bulk


資料

廠商
GeneSiC Semiconductor

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ga35xcp12-247參數(shù)

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 產(chǎn)品IGBT Silicon Carbide Modules
  • 配置Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓3 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流35 A
  • 柵極—射極漏泄電流500 nA
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 封裝 / 箱體TO-247AB
  • 封裝Bulk
  • 最小工作溫度- 40 C
  • 安裝風(fēng)格Through Hole