GCG1550C1H360JA01J 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,屬于溝道增強型場效應(yīng)晶體�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)�、逆變器等�(lǐng)��
其封裝形式為 D2PAK (TO-263),適合表面貼裝技�(shù) (SMT) �(yīng)用,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換能�,并具備出色的耐用性和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�2800pF
功耗:150W
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用環(huán)��
3. 快速開�(guān)特�,減少開�(guān)損耗并提升動態(tài)性能�
4. �(yōu)化的熱阻�(shè)�,確保器件在高負載下的穩(wěn)定��
5. 強大的抗雪崩能力,增強系�(tǒng)的可靠性和魯棒性�
6. 封裝緊湊,便于集成到�(xiàn)代電子系�(tǒng)中�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電路�
4. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護功��
6. 其他需要高效功率控制的�(yīng)用場景�
IRFZ44N, FDP5570, STP80NF06L