類型：N-Channel MOSFET
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：16mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　漏源極耐壓（Vds）：55V
　　柵極閾值電壓（Vgs(th)）：2.2V（典型值）
　　連續(xù)漏極電流（Id）：94A（Tc=25℃）
　　封裝形式：TO-220AC
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

GCQ1555C1H160FB01D具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了更高的效率和更低的功耗。
　　2. 快速開關(guān)性能使其非常適合高頻應(yīng)用，減少開關(guān)損耗。
　　3. 高電流處理能力支持大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行。
　　5. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能，便于集成到緊湊型系統(tǒng)中。
　　6. 提供增強(qiáng)的ESD保護(hù)以提高器件的耐用性和使用壽命。

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和主開關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓模塊。
　　3. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)控制。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和電池管理。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與控制。
　　6. LED照明驅(qū)動(dòng)電路中的高效功率調(diào)節(jié)。

GCQ1555C1H160FB02D, IRF540N, FDP18N06L