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GCQ1555C1H160FB01D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 9:21:14 查看 閱讀:10

GCQ1555C1H160FB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的熱性能。
  該型號(hào)屬于溝道型MOSFET,適用于高頻開關(guān)電路和負(fù)載切換場(chǎng)景,能夠顯著降低能耗并提高系統(tǒng)可靠性。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):16mΩ(典型值,Vgs=10V)
  漏源極耐壓(Vds):55V
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.2V(典型值)
  連續(xù)漏極電流(Id):94A(Tc=25℃)
  封裝形式:TO-220AC
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

GCQ1555C1H160FB01D具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了更高的效率和更低的功耗。
  2. 快速開關(guān)性能使其非常適合高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損耗。
  3. 高電流處理能力支持大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行。
  5. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能,便于集成到緊湊型系統(tǒng)中。
  6. 提供增強(qiáng)的ESD保護(hù)以提高器件的耐用性和使用壽命。

應(yīng)用

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓模塊。
  3. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)控制。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和電池管理。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與控制。
  6. LED照明驅(qū)動(dòng)電路中的高效功率調(diào)節(jié)。

替代型號(hào)

GCQ1555C1H160FB02D, IRF540N, FDP18N06L

gcq1555c1h160fb01d推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gcq1555c1h160fb01d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格10,000 : ¥0.57683卷帶(TR)
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容16 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻,汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-