GCQ1555C1H170GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該芯片采用了先進的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各種工�(yè)電子�(shè)備中�
這款MOSFET屬于N溝道增強型器�,其�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)計使其能夠在高頻條件下保持高效運行,同時具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,適用于嚴苛的工作環(huán)境�
型號:GCQ1555C1H170GB01D
類型:N溝道功率MOSFET
額定電壓�650V
額定電流�30A
�(dǎo)通電阻:0.05Ω
柵極電荷�45nC
輸入電容�2800pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GCQ1555C1H170GB01D的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻:其導(dǎo)通電阻僅�0.05Ω,能夠顯著降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力:該芯片的柵極電荷較?�?5nC),從而實�(xiàn)了更快的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
3. 高擊穿電壓:額定電壓高達650V,可承受更高的反向電�,增強了系統(tǒng)的可靠��
4. 良好的熱性能:通過�(yōu)化的封裝�(shè)計和材料選擇,該器件具備出色的散熱能�,確保在高溫�(huán)境下長期�(wěn)定運��
5. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的寬溫度范圍,適應(yīng)各種極端氣候條件下的使用需��
6. 低噪聲設(shè)計:通過�(nèi)部電路優(yōu)化,減少了開�(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾,提高了系統(tǒng)的EMC性能�
GCQ1555C1H170GB01D廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)管用于AC-DC�(zhuǎn)換器中,提供高效的功率轉(zhuǎn)��
2. 電機�(qū)動:適用于直流無刷電�、步進電機等�(qū)動電路,實現(xiàn)精確的速度和扭矩控��
3. 工業(yè)自動化:在可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)動器等領(lǐng)域中�(fā)揮重要作用�
4. 新能源系�(tǒng):用于太陽能逆變�、風(fēng)能發(fā)電系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
5. 汽車電子:包括電動車充電裝置、車載逆變器以及其他車載電子設(shè)��
6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,例如不間斷電源(UPS)、電池管理系�(tǒng)(BMS)等�
GCQ1555C1H170GB02D, IRFP460, STP30NF65