GCQ1555C1H2R0DB01D是一款高性能的射頻功率晶體管,專為無線通信、廣播發(fā)射機以及其他射頻功率放大應用而設�。該器件采用先進的半導體制造工�,在高頻和高功率條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能�
其主要用途包括驅動級或末級功率放大器,能夠在特定的工作頻率范圍內提供高增�、高效率和良好的線性度�
型號:GCQ1555C1H2R0DB01D
類型:射頻功率晶體管
封裝:DB01
工作頻率范圍�30 MHz - 500 MHz
額定輸出功率�150 W
最大集電極功耗:300 W
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�150 V
電流增益帶寬積:1.5 GHz
插入損耗:小于0.5 dB
存儲溫度范圍�-55� � +150�
工作溫度范圍�-40� � +100�
GCQ1555C1H2R0DB01D具有出色的高頻性能和功率處理能�,使其成為需要高可靠性射頻放大的理想選擇�
1. 高輸出功率:能夠提供高達150W的射頻輸出功�,適用于大功率射頻應��
2. 寬帶操作:支持從30MHz�500MHz的頻率范�,滿足多種通信標準的需��
3. 高效率:在典型負載條件下,效率可達到60%以上�
4. 良好的熱性能:采用高效的散熱設計,確保在高功率運行時保持�(wěn)��
5. 可靠性:�(jīng)過嚴格的質量控制和測試流�,保證長期使用的可靠性�
6. 易于集成:標準DB01封裝便于與現(xiàn)有系�(tǒng)進行無縫集成�
這款射頻功率晶體管廣泛應用于以下領域�
1. 廣播�(fā)射機�
用于AM/FM廣播系統(tǒng)的功率放大器中,以實�(xiàn)高質量的聲音傳輸�
2. 無線通信�
支持基站、中繼站等設備中的射頻功率放大功��
3. 測試與測量:
用于信號�(fā)生器和頻譜分析儀等儀器中,以提供精確的射頻信號源�
4. 工業(yè)、科學和�(yī)療(ISM):
適用于各種非通信類射頻能量應用,例如等離子體生成和材料加��
GCQ1555C1H2R0DB02D, GCQ1555C1H2R0DB03D