GCQ1555C1H2R0DB01D是一款高性能的射頻功率晶體管,專為無線通信、廣播發(fā)射機以及其他射頻功率放大應用而設計。該器件采用先進的半導體制造工藝,在高頻和高功率條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
其主要用途包括驅動級或末級功率放大器,能夠在特定的工作頻率范圍內提供高增益、高效率和良好的線性度。
型號:GCQ1555C1H2R0DB01D
類型:射頻功率晶體管
封裝:DB01
工作頻率范圍:30 MHz - 500 MHz
額定輸出功率:150 W
最大集電極功耗:300 W
集電極-發(fā)射極擊穿電壓:150 V
電流增益帶寬積:1.5 GHz
插入損耗:小于0.5 dB
存儲溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
工作溫度范圍:-40℃ 至 +100℃
GCQ1555C1H2R0DB01D具有出色的高頻性能和功率處理能力,使其成為需要高可靠性射頻放大的理想選擇。
1. 高輸出功率:能夠提供高達150W的射頻輸出功率,適用于大功率射頻應用。
2. 寬帶操作:支持從30MHz到500MHz的頻率范圍,滿足多種通信標準的需求。
3. 高效率:在典型負載條件下,效率可達到60%以上。
4. 良好的熱性能:采用高效的散熱設計,確保在高功率運行時保持穩(wěn)定。
5. 可靠性:經(jīng)過嚴格的質量控制和測試流程,保證長期使用的可靠性。
6. 易于集成:標準DB01封裝便于與現(xiàn)有系統(tǒng)進行無縫集成。
這款射頻功率晶體管廣泛應用于以下領域:
1. 廣播發(fā)射機:
用于AM/FM廣播系統(tǒng)的功率放大器中,以實現(xiàn)高質量的聲音傳輸。
2. 無線通信:
支持基站、中繼站等設備中的射頻功率放大功能。
3. 測試與測量:
用于信號發(fā)生器和頻譜分析儀等儀器中,以提供精確的射頻信號源。
4. 工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM):
適用于各種非通信類射頻能量應用,例如等離子體生成和材料加熱。
GCQ1555C1H2R0DB02D, GCQ1555C1H2R0DB03D