GCQ1555C1H360GB01D 是一款高性能的工業(yè)級(jí) NAND Flash 存儲(chǔ)芯片,主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和固態(tài)硬盤(pán)應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的制程工藝,在提供高容量存儲(chǔ)的同時(shí)確保了低功耗和高可靠性。
其設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)支持多平面操作,從而提升數(shù)據(jù)吞吐量,并通過(guò)內(nèi)置的 ECC(錯(cuò)誤校正碼)引擎優(yōu)化數(shù)據(jù)完整性。這款芯片適用于需要大容量、快速讀寫(xiě)速度以及長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的嵌入式系統(tǒng)和企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案。
容量:360GB
接口類型:PCIe NVMe
工作電壓:1.8V / 3.3V
封裝形式:BGA
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高可達(dá) 3500 MB/s (讀取) 和 2800 MB/s (寫(xiě)入)
擦寫(xiě)壽命:3000 次 P/E 周期
封裝尺寸:16mm x 20mm
GCQ1555C1H360GB01D 的主要特性包括高效能的 NAND 架構(gòu)設(shè)計(jì),結(jié)合強(qiáng)大的 ECC 糾錯(cuò)能力以減少數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率。
此外,它還集成了磨損均衡算法,有助于延長(zhǎng)閃存的使用壽命。
芯片支持智能電源管理,能夠在待機(jī)模式下顯著降低功耗。
在耐用性方面,該芯片經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的環(huán)境測(cè)試,能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定性能。
同時(shí),其高速 PCIe 接口使其非常適合要求嚴(yán)苛的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景,如視頻監(jiān)控、工業(yè)自動(dòng)化和云計(jì)算領(lǐng)域。
GCQ1555C1H360GB01D 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 工業(yè)控制設(shè)備中的數(shù)據(jù)記錄與存儲(chǔ)。
2. 企業(yè)級(jí)服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
3. 高分辨率視頻錄制和回放設(shè)備。
4. 醫(yī)療成像儀器中對(duì)圖像數(shù)據(jù)的快速處理與保存。
5. 車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和自動(dòng)駕駛技術(shù)相關(guān)的數(shù)據(jù)緩存。
6. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的本地化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。
GCQ1555C1H720GB01D
GCQ1555C1H180GB01D
GCQ1555C1H480GB01D