GCQ1555C1H3R2BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器等場景。該器件采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠在高頻開關條件下提供卓越的性能表現�
該型號屬于溝道型MOSFET系列,主要設計用于降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。其封裝形式為行�(yè)標準的DFN8�2x2mm�,體積小�,非常適合對空間要求較高的應用環(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.9A
導通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�16nC
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:DFN8�2x2mm�
GCQ1555C1H3R2BB01D的核心優(yōu)勢在于其超低的導通電�,僅�2.2毫歐,這極大地減少了功率損�,特別是在高電流應用場景�。此�,其小型化的封裝設計使其成為緊湊型設計的理想選擇�
該器件還具有快速開關速度,能夠有效減少開關損�,并支持高達數兆赫茲的工作頻�。內置的ESD保護功能增強了產品的可靠�,同時其寬泛的工作溫度范圍(-55℃至175℃)確保了在極端條件下的�(wěn)定��
此外,這款MOSFET具備出色的熱性能,通過�(yōu)化的布局設計進一步提高了散熱能力,降低了系統(tǒng)運行時的溫升風險�
GCQ1555C1H3R2BB01D適用于多種電力電子領�,包括但不限于以下應用:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整�
2. DC-DC轉換�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�
4. 電機驅動電路
5. 消費類電子產品中的電源管理模�
6. 便攜式設備中的高效功率控�
其高效的性能和緊湊的設計使其特別適合于移動設�、筆記本電腦適配器以及智能家居設備等領域�
GCQ1555C1H3R2BA01D
GCQ1555C1H3R2BC01D