GCQ1555C1H7R7WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的制程技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
其封裝形式為緊湊型表面貼裝封裝,適合高密度電路板布局。同時(shí),該芯片支持大電流連續(xù)輸出,并具有良好的靜電防護(hù)能力,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備。
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極電壓(Vdss):60V
柵源極電壓(Vgs):±20V
最大漏極電流(Id):40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
功耗(Ptot):18W
工作溫度范圍(Ta):-55℃至+175℃
封裝形式:LFPAK56D
GCQ1555C1H7R7WB01D的核心優(yōu)勢(shì)在于其卓越的電氣性能與可靠性:
1. 超低導(dǎo)通電阻:3.5mΩ@Vgs=10V,大幅降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能:具備短開(kāi)關(guān)時(shí)間,有效減少開(kāi)關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 高電流承載能力:最大連續(xù)漏極電流可達(dá)40A,滿足高功率需求。
4. 緊湊封裝:采用LFPAK56D封裝,節(jié)省PCB空間,便于散熱設(shè)計(jì)。
5. 寬工作溫度范圍:從-55℃到+175℃,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 內(nèi)置ESD保護(hù):提高了產(chǎn)品的抗靜電能力和長(zhǎng)期可靠性。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保材料使用,適應(yīng)全球法規(guī)要求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配器、LED驅(qū)動(dòng)器以及電池充電器。
2. 電機(jī)控制:如直流無(wú)刷電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)器和伺服控制系統(tǒng)。
3. 汽車(chē)電子:用于車(chē)載電子設(shè)備中的負(fù)載切換和電源管理。
4. 工業(yè)自動(dòng)化:例如可編程邏輯控制器(PLC)和工廠自動(dòng)化設(shè)備。
5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品:如筆記本電腦擴(kuò)展塢、智能家電等需要高效能電源轉(zhuǎn)換的產(chǎn)品。
GCQ1555C1H7R7WB02D, GCQ1555C1H7R7WB03D