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GCQ1555C1H8R7WB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 18:30:16 查看 閱讀�17

GCQ1555C1H8R7WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換場�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體效率�
  該芯片基于N溝道增強(qiáng)型MOSFET�(shè)�(jì),具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,非常適合要求高效能與可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)�(shí)間:典型值開�10ns,關(guān)�20ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GCQ1555C1H8R7WB01D采用了最新的半導(dǎo)體技�(shù)以優(yōu)化其性能表現(xiàn)。首先,它擁有極低的�(dǎo)通電阻(�1.5mΩ�,這極大地減少了功率損�,提升了工作效率。其�,該芯片的快速開�(guān)速度使得其在高頻�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色,能夠有效降低開�(guān)損耗�
  此外,該器件還具有較�(qiáng)的抗浪涌能力以及�(nèi)置的過溫保護(hù)功能,確保了其在極端條件下的�(wěn)定性和可靠�。同�(shí),它的高耐壓等級(jí)�60V)和大電流承載能力(30A)使其適用于廣泛的功率轉(zhuǎn)換需��
  最后,該芯片的工作溫度范圍非常寬廣�-55℃至+175℃),能夠在各種惡劣�(huán)境下正常�(yùn)�,�(jìn)一步擴(kuò)展了其應(yīng)用領(lǐng)域�

�(yīng)�

這款MOSFET芯片廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為無刷直流電機(jī)或其他類型的電動(dòng)�(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)控制�
  3. 逆變器:在光伏逆變器和其他能量�(zhuǎn)換系�(tǒng)中作為核心功率元��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:用于工業(yè)�(jí)控制系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)與分配�
  5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、智能手�(jī)快充模塊等需要高效率功率管理的場��

替代型號(hào)

GCQ1555C1H8R7WB02D, GCQ1555C1H8R7WB03D

gcq1555c1h8r7wb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gcq1555c1h8r7wb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �0.58840卷帶(TR�
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8.7 pF
  • 容差±0.05pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�RF,微�,高�,汽車級(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-