GCQ1555C1H8R7WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換場�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體效率�
該芯片基于N溝道增強(qiáng)型MOSFET�(shè)�(jì),具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,非常適合要求高效能與可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)�(shí)間:典型值開�10ns,關(guān)�20ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GCQ1555C1H8R7WB01D采用了最新的半導(dǎo)體技�(shù)以優(yōu)化其性能表現(xiàn)。首先,它擁有極低的�(dǎo)通電阻(�1.5mΩ�,這極大地減少了功率損�,提升了工作效率。其�,該芯片的快速開�(guān)速度使得其在高頻�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色,能夠有效降低開�(guān)損耗�
此外,該器件還具有較�(qiáng)的抗浪涌能力以及�(nèi)置的過溫保護(hù)功能,確保了其在極端條件下的�(wěn)定性和可靠�。同�(shí),它的高耐壓等級(jí)�60V)和大電流承載能力(30A)使其適用于廣泛的功率轉(zhuǎn)換需��
最后,該芯片的工作溫度范圍非常寬廣�-55℃至+175℃),能夠在各種惡劣�(huán)境下正常�(yùn)�,�(jìn)一步擴(kuò)展了其應(yīng)用領(lǐng)域�
這款MOSFET芯片廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為無刷直流電機(jī)或其他類型的電動(dòng)�(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)控制�
3. 逆變器:在光伏逆變器和其他能量�(zhuǎn)換系�(tǒng)中作為核心功率元��
4. 工業(yè)自動(dòng)化:用于工業(yè)�(jí)控制系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)與分配�
5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、智能手�(jī)快充模塊等需要高效率功率管理的場��
GCQ1555C1H8R7WB02D, GCQ1555C1H8R7WB03D