GCQ1555C1H9R0CB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能的特�(diǎn),適用于多種電壓和電流條件下的電路設(shè)�(jì)�
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性,能夠在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下保持可靠的運(yùn)��
型號(hào):GCQ1555C1H9R0CB01D
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�200W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝:TO-Leadless
GCQ1555C1H9R0CB01D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場(chǎng)合,減少電磁干擾(EMI)�
3. �(qiáng)大的電流承載能力,可滿足大功率負(fù)載的需求�
4. �(nèi)置過流保�(hù)和熱�(guān)斷功�,確保芯片在異常情況下不�(huì)損壞�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化布局布線過程�
6. 具備�(yōu)異的電氣特性和熱穩(wěn)定�,適�(yīng)多種�(fù)雜環(huán)��
這款芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域如下:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組��
GCQ1555C1H8R0CB01D, IRFZ44N, FDP55N06L