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GCQ1555C1H9R6BB01D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 9:18:52 查看 閱讀:12

GCQ1555C1H9R6BB01D是一款高性能的射頻功率放大器芯片,廣泛應(yīng)用于無線通信領(lǐng)域。該芯片基于先進(jìn)的GaAs(砷化鎵)工藝制造,具有高增益、高效率和寬帶寬的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)對高頻信號處理的需求,適用于蜂窩基站、中繼器和其他射頻設(shè)備。
  該芯片在工作頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的線性度和穩(wěn)定性,同時(shí)具備低噪聲特性和強(qiáng)大的抗干擾能力,確保在復(fù)雜電磁環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

型號:GCQ1555C1H9R6BB01D
  工藝:GaAs HEMT
  工作頻率范圍:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  增益:15 dB
  輸出功率(P1dB):40 dBm
  效率:45%
  供電電壓:5 V
  靜態(tài)電流:300 mA
  封裝形式:SMD
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +85℃

特性

GCQ1555C1H9R6BB01D采用了先進(jìn)的砷化鎵(GaAs)高電子遷移率晶體管(HEMT)技術(shù),這使得它在高頻應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越性能。首先,它的高增益特性可有效提升信號強(qiáng)度,減少系統(tǒng)對外部放大器的需求。
  其次,這款芯片具備較高的功率附加效率(PAE),能夠以較低的功耗提供強(qiáng)大的輸出功率,從而降低設(shè)備的整體能耗。
  此外,GCQ1555C1H9R6BB01D還擁有出色的線性度,可以有效減少信號失真,這對于需要高質(zhì)量信號傳輸?shù)膽?yīng)用場景尤為重要。
  最后,該芯片的寬帶寬設(shè)計(jì)使其能夠適應(yīng)多種通信標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議,增強(qiáng)了產(chǎn)品的適用性與靈活性。

應(yīng)用

GCQ1555C1H9R6BB01D主要應(yīng)用于無線通信領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 蜂窩基站:用于增強(qiáng)基站發(fā)射機(jī)的信號覆蓋范圍和質(zhì)量。
  2. 中繼器:提升弱信號區(qū)域的信號強(qiáng)度,確保通信暢通。
  3. 射頻測試設(shè)備:為實(shí)驗(yàn)室或生產(chǎn)環(huán)境中的射頻測試提供穩(wěn)定的信號源。
  4. 專用無線通信系統(tǒng):如衛(wèi)星通信、軍事通信等,要求高可靠性和高性能的場景。
  5. 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備:支持長距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)木W(wǎng)關(guān)或節(jié)點(diǎn)設(shè)備。

替代型號

GCQ1555C1H9R7BB01D, GCQ1555C1H9R8BB01D

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gcq1555c1h9r6bb01d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量649現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥1.91000剪切帶(CT)10,000 : ¥0.37939卷帶(TR)
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容9.6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻,汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-