GCQ1555C1HR13WB01D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系統(tǒng)能耗并提高整體性能。
這款芯片屬于溝道型MOSFET,特別適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合,其出色的動(dòng)態(tài)特性和熱性能使其成為設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。
型號(hào):GCQ1555C1HR13WB01D
類(lèi)型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3mΩ
功耗(Ptot):175W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
GCQ1555C1HR13WB01D 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用。
3. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持可靠運(yùn)行。
4. 內(nèi)置反向二極管,支持同步整流功能。
5. 高雪崩能量耐受能力,增強(qiáng)器件在異常條件下的魯棒性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的保護(hù)電路。
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的大電流開(kāi)關(guān)。
GCQ1555C1HR13WB02D, IRFZ44N, FDP5500