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GCQ1555C1HR13WB01D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 23:15:21 查看 閱讀:12

GCQ1555C1HR13WB01D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系統(tǒng)能耗并提高整體性能。
  這款芯片屬于溝道型MOSFET,特別適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合,其出色的動(dòng)態(tài)特性和熱性能使其成為設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào):GCQ1555C1HR13WB01D
  類(lèi)型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):45A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3mΩ
  功耗(Ptot):175W
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

GCQ1555C1HR13WB01D 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持可靠運(yùn)行。
  4. 內(nèi)置反向二極管,支持同步整流功能。
  5. 高雪崩能量耐受能力,增強(qiáng)器件在異常條件下的魯棒性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的保護(hù)電路。
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的大電流開(kāi)關(guān)。

替代型號(hào)

GCQ1555C1HR13WB02D, IRFZ44N, FDP5500

gcq1555c1hr13wb01d推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gcq1555c1hr13wb01d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格10,000 : ¥0.56398卷帶(TR)
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.13 pF
  • 容差±0.05pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻,汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-