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GCQ1555C1HR70DB01D 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 9:21:37 查看 閱讀:11

GCQ1555C1HR70DB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各類開關(guān)電路中。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻應(yīng)用場合提供高效的性能表現(xiàn)。
  該芯片適用于高電壓、大電流的工作環(huán)境,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力,適合工業(yè)級及消費級電子產(chǎn)品的設(shè)計需求。

參數(shù)

型號:GCQ1555C1HR70DB01D
  類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):70V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):30A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  功耗(Ptot):150W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GCQ1555C1HR70DB01D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于降低功率損耗并提高整體效率。
  2. 快速的開關(guān)速度和較小的柵極電荷 Qg,確保在高頻條件下保持高效性能。
  3. 較高的雪崩能量承受能力,增強了器件的耐用性。
  4. 內(nèi)置過溫保護功能,提升系統(tǒng)可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛。
  6. 優(yōu)異的熱性能,能夠適應(yīng)高功率密度的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

該芯片可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電動工具和家用電器的電機驅(qū)動控制。
  3. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS) 系統(tǒng)。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和保護。
  5. 高效 LED 驅(qū)動器的設(shè)計與實現(xiàn)。
  6. 汽車電子中的直流電機控制和電池管理系統(tǒng)(BMS)。

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF7
  FDP18N70

gcq1555c1hr70db01d推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gcq1555c1hr70db01d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格10,000 : ¥0.18949卷帶(TR)
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.7 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻,汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-