GD25Q32ETIGR是兆易創(chuàng)新(GigaDevice)推出的一款高性能、低功耗的串行閃存芯片,采用SPI接口。該器件具有32Mb�4MB)的存儲容量,支持高速讀寫操作,并具備先�(jìn)的數(shù)�(jù)保護(hù)和可靠性機(jī)�。廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、物�(lián)�(wǎng)�(shè)�、通信以及工業(yè)控制等領(lǐng)��
該芯片工作電壓范圍為2.7V�3.6V,支持標(biāo)�(zhǔn)SPI、雙I/O SPI以及四I/O SPI模式,能夠顯著提升數(shù)�(jù)傳輸效率。同�(shí),其�(nèi)置的Sector Protect功能可有效防止意外寫入或擦除操作�
容量�32Mb (4MB)
接口類型:SPI
工作電壓�2.7V ~ 3.6V
工作電流:讀取模� - 最�10mA,待�(jī)模式 - 最�5μA
�(shí)鐘頻率:最�104MHz (在QSPI模式�)
封裝形式�8引腳SOIC�8引腳TSSOP、WSON8�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C (商業(yè)�)�-40°C � +125°C (工業(yè)�)
擦寫次數(shù):至�100,000�
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:超過20�
GD25Q32ETIGR的主要特性包括:
1. 支持多種SPI模式,如�(biāo)�(zhǔn)SPI、Dual I/O � Quad I/O 模式,以適應(yīng)不同�(yīng)用需��
2. �(nèi)置硬件寫保護(hù)功能,可通過WP#引腳啟用,防止非法寫入或擦除操作�
3. 提供靈活的扇區(qū)保護(hù)選項(xiàng),允許用戶對特定區(qū)域�(jìn)行寫保護(hù)�
4. 高速傳輸性能,在QPI模式下支持高�(dá)104MHz的工作頻��
5. 具備低功耗設(shè)�(jì),待�(jī)電流僅為5μA,適合電池供電的便攜式設(shè)��
6. 支持JEDEC�(biāo)�(zhǔn)的JESD216B�(guī)�,便于與主機(jī)控制器兼容�
7. 小型化封裝選�(xiàng),例如WSON8封裝,節(jié)省PCB空間�
8. 可靠性高,擦寫壽命可�(dá)10萬次以上,數(shù)�(jù)保持�(shí)間超�20��
GD25Q32ETIGR適用于以下領(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如智能音箱、平板電腦和�(shù)碼相�(jī)�
2. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�,包括智能家居、可穿戴�(shè)備和傳感器模��
3. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的固件存儲�
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由�、交換機(jī)和接入點(diǎn)�
5. �(yī)療設(shè)備中的程序代碼和配置參數(shù)存儲�
6. 汽車電子系統(tǒng)中用于信息娛樂系�(tǒng)的非易失性存��
7. 任何需要小尺寸、低功�、高性能存儲解決方案的應(yīng)用場��
GD25Q32C, W25Q32JV, MX25L3206E