GD25Q40CEIGR(4M�)串行閃存支持�(biāo)�(zhǔn)串行外圍接口(SPI),并支持�/四SPI:串行時(shí)�、芯片選擇、串行數(shù)�(jù)I/O 0(SI)、I/O 1(SO)、I/O(WP#)和I/O(HOLD#)。雙I/O�(shù)�(jù)�240Mbit/s的速度傳輸,四路I/O和四路輸出數(shù)�(jù)�480Mbit/s速度傳輸�
�4M位串行閃�
�512K字節(jié)
●每�(gè)可編程頁(yè)�256字節(jié)
●標(biāo)�(zhǔn)二重的四路SPI-�(biāo)�(zhǔn):SCLK,CS#SI,SO.WP#,HOLD#-雙路:SCLK、CS#,WP#。HOLD#-Quad:SCLK。CS編號(hào)。IO0.101�102
高速時(shí)鐘頻�120MHz,用�30PF�(fù)載的快速讀�-雙I/O�(shù)�(jù)傳輸敢達(dá)240Mbit/s-四I/O�(shù)�(jù)傳輸高達(dá)480Mbit/s
●軟�/硬件Wrte保護(hù)-通過(guò)軟件保護(hù)所�/部分�(nèi)�-使用WP#引腳啟用/禁用保護(hù)-頂部/底部塊保�(hù)
●最�100000�(gè)編程/擦除周期
●快速編�/擦除速度
●頁(yè)面程序時(shí)間:0�6ms典型�-扇區(qū)擦除�(shí)間:45ms典型�
●塊擦除�(shí)間:0�15/ 0. 25�(典型�)
●芯片擦除時(shí)間:2�5s典型�
●靈活的體系�(jié)�(gòu)-4K字節(jié)的統(tǒng)一扇區(qū)-32/64K字節(jié)的統(tǒng)一�
●低功�1uA典型深度斷電電流-1uA典型待機(jī)電流
商品分類(lèi) | NOR FLASH | 品牌 | GigaDevice(兆易�(chuàng)�) |
封裝 | USON-8_3x2mm | 包裝 | 圓盤(pán) |
GD25Q40CEIGR原理�
GD25Q40CEIGR引腳�
GD25Q40CEIGR封裝
GD25Q40CEIGR料號(hào)解釋