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GD5F1GQ5UEYIG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 12:29:54 查看 閱讀:15

GD5F1GQ5UEYIG 是一款由長鑫存儲(GigaDevice)生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒芯片。該型號主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和其他需要高性能數(shù)據(jù)處理的電子系統(tǒng)中。DDR4 相較于前代產(chǎn)品具有更高的頻率、更低的電壓和更優(yōu)的能耗表現(xiàn),能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算對高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?br>  這款芯片采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備高可靠性和穩(wěn)定性,同時(shí)支持 ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)功能,以減少數(shù)據(jù)傳輸中的錯(cuò)誤。

參數(shù)

類型:DDR4 SDRAM
  容量:1Gb (128Mb x 8)
  核心電壓:1.2V
  I/O電壓:1.2V/1.8V
  速度:2666Mbps
  封裝形式:BGA
  工作溫度范圍:-20°C ~ +85°C
  引腳數(shù):78

特性

GD5F1GQ5UEYIG 具備以下顯著特性:
  1. 支持 DDR4 標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議,兼容主流平臺。
  2. 高速數(shù)據(jù)傳輸速率,最高可達(dá) 2666Mbps,適用于高性能計(jì)算環(huán)境。
  3. 低功耗設(shè)計(jì),工作電壓為 1.2V,相比 DDR3 的 1.5V 更加節(jié)能。完整性,通過 ECC 功能降低數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率。
  5. 小型化 BGA 封裝,便于集成到各種緊湊型設(shè)計(jì)中。
  6. 工作溫度范圍廣,適合在多種環(huán)境下運(yùn)行。

應(yīng)用

GD5F1GQ5UEYIG 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 臺式機(jī)和筆記本電腦內(nèi)存模塊。
  2. 企業(yè)級服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存擴(kuò)展。
  3. 工業(yè)控制設(shè)備及嵌入式系統(tǒng)的高速數(shù)據(jù)存儲。
  4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的緩存和臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲。
  5. 游戲主機(jī)及其他高性能消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

替代型號

GD5F1GQ5UEHIG, ISSI IS43TR16512B, Micron MT41K128M16

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