最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：41A
　　導(dǎo)通電阻：3.2mΩ
　　柵極電荷：95nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值8ns（開(kāi)啟），20ns（關(guān)閉）
　　功耗：240W
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

GDB41A32ED7-D2S具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有效降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)速度，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗，特別適合高頻應(yīng)用。
　　3. 高電流承載能力，能夠承受較大的負(fù)載需求。
　　4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下仍保持可靠運(yùn)行。
　　5. 小尺寸封裝，便于電路板布局和緊湊型設(shè)計(jì)。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化產(chǎn)品中。

這款功率MOSFET適用于多種領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。
　　2. 電動(dòng)工具及家用電器中的直流電機(jī)控制。
　　3. 太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
　　5. 電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)電路。
　　6. LED照明驅(qū)動(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)功能。

GDB41A32ED7-D3T
　　GDB40A30ED7-D2S
　　IRF3205
　　FDP5500