GESD1005H5R5CR10GPT 是一款基于砷化鎵 (GaAs) 材料的射頻肖特基二極管,專(zhuān)為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有低正向電壓降、快速恢復(fù)時(shí)間和高浪涌電流能力等特性,適用于通信系統(tǒng)、雷達(dá)、衛(wèi)星和其他高頻電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)和整流功能。
該型號(hào)由通用半導(dǎo)體(General Semiconductor)制造,通常用于需要高可靠性和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景中。
最大正向電流:3A
峰值反向電壓:50V
正向電壓降:0.4V(典型值,IF=1A)
反向恢復(fù)時(shí)間:25ns(典型值)
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:DO-214AC(SMA)
GESD1005H5R5CR10GPT 的主要特點(diǎn)是其在高頻條件下的卓越性能和穩(wěn)定性。具體來(lái)說(shuō):
1. 高浪涌電流能力使其能夠承受瞬態(tài)大電流沖擊,非常適合保護(hù)電路。
2. 快速恢復(fù)時(shí)間有助于減少開(kāi)關(guān)損耗,并在高頻操作時(shí)提供更好的效率。
3. 穩(wěn)定的正向電壓降確保了在各種負(fù)載條件下的線性表現(xiàn)。
4. 寬工作溫度范圍表明該二極管能夠在極端環(huán)境下可靠運(yùn)行,從而滿足工業(yè)和軍事領(lǐng)域的需求。
5. 其緊湊的 DO-214AC 封裝便于表面貼裝,適合自動(dòng)化生產(chǎn)流程。
這款肖特基二極管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 射頻和微波電路中的整流與檢測(cè)。
2. 開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的續(xù)流二極管。
3. 保護(hù)電路,例如 ESD 和瞬態(tài)電壓抑制。
4. 高頻通信設(shè)備中的信號(hào)處理模塊。
5. 工業(yè)和汽車(chē)電子中的功率管理部分。
MDD10050H5R5C, GESD1005H5R5CR10GP