GJM0335C1E100FB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低能耗并提升系統(tǒng)性能�
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,封裝形式為�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)�,適用于自動(dòng)化生�(chǎn)線。由于其出色的電氣特性和可靠�,廣泛受到工�(yè)和消�(fèi)電子市場(chǎng)的青��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:2200pF
工作溫度范圍�-55� to 175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),確保在高電流應(yīng)用中減少功��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻電路設(shè)�(jì)�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能��
4. 熱穩(wěn)定�?xún)?yōu)秀,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能輸出�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,方便布局�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保無(wú)鉛制��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的H橋或半橋配置�
4. LED�(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載控制開(kāi)�(guān)�
5. 各類(lèi)電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑控制開(kāi)�(guān)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
GJM0335C1E100FA01D, IRFZ44N, FDP55N10