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GJM0335C1E4R1WB01D 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 18:32:39 查看 閱讀:17

GJM0335C1E4R1WB01D 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效率功率晶體管,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的 GaN 工藝,能夠提供更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通電阻以及更小的封裝尺寸,非常適合用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電模塊以及 LED 驅(qū)動等領(lǐng)域。
  這款晶體管具有出色的熱性能和耐壓能力,能夠在高頻率和高功率密度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,同時支持表面貼裝技術(shù) (SMT),便于自動化生產(chǎn)。

參數(shù)

型號:GJM0335C1E4R1WB01D
  類型:增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) 功率晶體管
  漏源極擊穿電壓:650V
  導(dǎo)通電阻:40mΩ(典型值)
  柵極閾值電壓:2.5V~5V
  最大漏極電流:8A
  封裝形式:LLP-8
  工作溫度范圍:-55℃~+150℃

特性

1. 基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù),提供卓越的高頻開關(guān)性能。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可有效降低功率損耗。
  3. 高擊穿電壓 (650V),確保在高壓環(huán)境下的可靠性。
  4. 支持表面貼裝 (SMT),簡化制造工藝。
  5. 小巧的 LLP-8 封裝,節(jié)省電路板空間。
  6. 寬工作溫度范圍 (-55℃至+150℃),適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
  7. 適用于高效率電源轉(zhuǎn)換和高頻應(yīng)用。
  8. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能,提高抗干擾能力。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 充電器和適配器
  4. 無線充電設(shè)備
  5. LED 照明驅(qū)動
  6. 電機(jī)驅(qū)動和控制
  7. 太陽能逆變器
  8. 汽車電子系統(tǒng)中的高頻電源管理
  9. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源解決方案

替代型號

GJH0335C1E4R1WB01D
  GJM0335C1F4R1WB01D
  GJS0335C1E4R1WB01D

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

gjm0335c1e4r1wb01d參數(shù)

  • 特色產(chǎn)品High Frequency - High Q Capacitors
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝15,000
  • 類別電容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 電容4.1pF
  • 電壓 - 額定25V
  • 容差±0.05pF
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻
  • 額定值-
  • 封裝/外殼0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引線間隔-
  • 特點(diǎn)高 Q 值,低損耗
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線型-