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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GJM0335C1H2R8BB01D

GJM0335C1H2R8BB01D 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 13:46:47 查看 閱讀�8

GJM0335C1H2R8BB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS�、電機驅(qū)動以及無線充電等�(yīng)用場��
  由于其卓越的性能,這款晶體管能夠在高頻率下實現(xiàn)更低的損�,從而提高系�(tǒng)效率并減少散熱需��

參數(shù)

型號:GJM0335C1H2R8BB01D
  類型:增強型場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
  材料:氮化鎵(GaN�
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):25 mΩ(典型�,@ Vgs=6V�
  擊穿電壓(BVDSS):600 V
  柵極電荷(Qg):40 nC
  最大漏極電流(Id):30 A
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

GJM0335C1H2R8BB01D 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓支持高�(dá) 600V 的工作環(huán)�,適用于高壓電源系統(tǒng)�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(25mΩ�,顯著降低導(dǎo)通損耗,提升整體效率�
  3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  4. �(nèi)置優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)�,簡化電路設(shè)�,提高可靠��
  5. 小尺寸封裝提供更高的功率密度,節(jié)� PCB 空間�
  6. 寬工作溫度范圍使其在極端條件下仍能保持穩(wěn)定性能�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies, SMPS�
  2. 服務(wù)器及通信�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 光伏逆變器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模�
  4. 電動汽車(EV)車載充電器� DC/DC 變換�
  5. 無線充電�(fā)射端及接收端功率管理
  6. 高頻諧振�?fù)浣Y(jié)�(gòu)� LLC � CLLC �(zhuǎn)換器

替代型號

GJN0335C1H2R8BB01D, GJM0335C1H3R0BB01D

gjm0335c1h2r8bb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gjm0335c1h2r8bb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�7,860�(xiàn)�
  • 價格1 : �0.79000剪切帶(CT�15,000 : �0.08832卷帶(TR�
  • 系列GJM
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0201�0603 公制�
  • 大小 / 尺寸0.024" � x 0.012" 寬(0.60mm x 0.30mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"�0.33mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-