GJM0335C1H2R8BB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS�、電機驅(qū)動以及無線充電等�(yīng)用場��
由于其卓越的性能,這款晶體管能夠在高頻率下實現(xiàn)更低的損�,從而提高系�(tǒng)效率并減少散熱需��
型號:GJM0335C1H2R8BB01D
類型:增強型場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):25 mΩ(典型�,@ Vgs=6V�
擊穿電壓(BVDSS):600 V
柵極電荷(Qg):40 nC
最大漏極電流(Id):30 A
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-247-4L
GJM0335C1H2R8BB01D 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓支持高�(dá) 600V 的工作環(huán)�,適用于高壓電源系統(tǒng)�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(25mΩ�,顯著降低導(dǎo)通損耗,提升整體效率�
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
4. �(nèi)置優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)�,簡化電路設(shè)�,提高可靠��
5. 小尺寸封裝提供更高的功率密度,節(jié)� PCB 空間�
6. 寬工作溫度范圍使其在極端條件下仍能保持穩(wěn)定性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies, SMPS�
2. 服務(wù)器及通信�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 光伏逆變器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模�
4. 電動汽車(EV)車載充電器� DC/DC 變換�
5. 無線充電�(fā)射端及接收端功率管理
6. 高頻諧振�?fù)浣Y(jié)�(gòu)� LLC � CLLC �(zhuǎn)換器
GJN0335C1H2R8BB01D, GJM0335C1H3R0BB01D