時(shí)間：2025/6/5 19:46:37
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GJM0335C1HR70BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，在開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻和熱性能等方面表現(xiàn)出色。它適用于各種需要高效率和低損耗的場景，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等。該芯片具有良好的耐用性和穩(wěn)定性，能夠滿足工業(yè)級和消費(fèi)級應(yīng)用的需求。
這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效率。通過優(yōu)化的封裝技術(shù)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，GJM0335C1HR70BB01D 實(shí)現(xiàn)了卓越的散熱性能，從而提升了其在高溫環(huán)境下的可靠性。
類型：N溝道 MOSFET
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：42A
柵極電荷：16nC
導(dǎo)通電阻（典型值）：1.2mΩ
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-263 (D2PAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力，支持高達(dá)42A的連續(xù)漏極電流，適合大功率應(yīng)用場景。
3. 優(yōu)異的熱性能，確保芯片在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 快速開關(guān)特性，可有效降低開關(guān)損耗。
5. 具備出色的雪崩能力和 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
6. 小型化封裝設(shè)計(jì)，便于 PCB 布局和安裝，同時(shí)節(jié)省空間。
7. 寬廣的工作溫度范圍，使其能夠在惡劣環(huán)境下可靠工作。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)電路。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的直流轉(zhuǎn)換和配電。
6. LED 照明驅(qū)動(dòng)中的高效功率控制。
7. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器及通信設(shè)備中的電源模塊。
GJM0335C1HR70BB01E, GJM0335C1HR70BB01F
