GJM0335C1HR80WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類(lèi)�(kāi)�(guān)電路�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能耗�
這款器件通常被用于需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源(SMPS�、電池管理系�(tǒng)(BMS)等。其封裝形式為表面貼裝技�(shù)(SMD�,有助于提高組裝密度并簡(jiǎn)化設(shè)�(jì)流程�
型號(hào):GJM0335C1HR80WB01D
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):33A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
功耗:75W
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝:TO-LEADLESS
�(jié)電容(Ciss):3290pF
GJM0335C1HR80WB01D具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少導(dǎo)通損�,從而提高整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,降低了�(kāi)�(guān)損耗�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致��
4. �(qiáng)大的浪涌電流承受能力,增�(qiáng)了器件在極端條件下的可靠��
5. 采用�(wú)引腳封裝技�(shù),提升了散熱性能并減少了寄生電感的影��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于各種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)��
該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于�
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supply�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 電池保護(hù)及充電管�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源模�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS)、剎�(chē)系統(tǒng)�
7. 太陽(yáng)能逆變器及其他新能源相�(guān)�(shè)�
GJM0335C1HR80WB01D憑借其卓越的性能和可靠�,成為上述應(yīng)用的理想選擇�
GJM0335C1HRE80WB01D
GJM0335C1HRE80WB02D
IRF3205
FDP5500
STP55NF06L