GJM0336C1E150JB01J 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)�。它采用先�(jìn)的封裝工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及�(yōu)異的熱性能。此型號廣泛�(yīng)用于電源管理�(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、通信電源、服�(wù)器電源等場景�
該芯片內(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)動電路和保護(hù)功能,有助于提高系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定�。同時,其出色的電氣性能使其成為傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想升級替代方��